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类型：N沟道MOSFET
漏源电压（Vdss）：30V
连续漏极电流（Id）：11.5A
导通电阻（RDS(on)）：10mΩ@10V，11.5A
耗散功率（Pd）：2.5W
栅极电荷量（Qg）：22nC@10V
输入电容（Ciss@Vds）：1.24nF@15V
反向传输电容（Crss）：120pF@15V
工作温度：-55℃~+150℃
