联系电话 13058163665
邮箱地址 2507316582@qq.com
类型:N沟道MOSFET
漏源电压(Vdss):40V
连续漏极电流(Id):30A
导通电阻(RDS(on)):9.4mΩ@4.5V,1.8A
耗散功率(Pd):27W
阈值电压(Vgs(th)):1.5V
栅极电荷量(Qg):14nC@4.5V
输入电容(Ciss@Vds):1.48nF
反向传输电容(Crss):13pF
工作温度:-55℃~+150℃