深圳市锐沣电子有限公司

AONR66406

类型:N沟道MOSFET

漏源电压(Vdss):40V

连续漏极电流(Id):30A

导通电阻(RDS(on)):9.4mΩ@4.5V,1.8A

耗散功率(Pd):27W

阈值电压(Vgs(th)):1.5V

栅极电荷量(Qg):14nC@4.5V

输入电容(Ciss@Vds):1.48nF

反向传输电容(Crss):13pF

工作温度:-55℃~+150℃

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