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类型:N沟道MOSFET
漏源电压(Vdss):30V
连续漏极电流(Id):30A
导通电阻:6.8mΩ
阈值电压(Vgs(th)):1.2V
栅极电荷量(Qg):17nc
输入电容(Ciss):1.229nF
反向传输电容(Crss):83pF
工作温度:-55℃~+150℃
