类型:N沟道MOSFET
漏源电压(Vdss):55V
连续漏极电流(Id):3.1A
导通电阻(RDS(on)):65mΩ@10V,3.1A
耗散功率(Pd):1W
阈值电压(Vgs(th)):2V
输入电容(Ciss@Vds):510pF@25V
工作温度:-55℃~+150℃
类型:N沟道MOSFET
漏源电压(Vdss):55V
连续漏极电流(Id):3.1A
导通电阻(RDS(on)):65mΩ@10V,3.1A
耗散功率(Pd):1W
阈值电压(Vgs(th)):2V
输入电容(Ciss@Vds):510pF@25V
工作温度:-55℃~+150℃
