类型:P沟道MOSFET
漏源电压（Vdss）:30V
连续漏极电流（Id）:12A
导通电阻（RDS(on)）:24mΩ@10V,6A
耗散功率（Pd）:40W
阈值电压(Vgs(th)):2.5V
栅极电荷量(Qg):12nC
输入电容(Ciss@Vds):1.45nF@25V
反向传输电容(Crss):120pF@25V
工作温度:-55℃~+175℃
类型:P沟道MOSFET
漏源电压（Vdss）:30V
连续漏极电流（Id）:12A
导通电阻（RDS(on)）:24mΩ@10V,6A
耗散功率（Pd）:40W
阈值电压(Vgs(th)):2.5V
栅极电荷量(Qg):12nC
输入电容(Ciss@Vds):1.45nF@25V
反向传输电容(Crss):120pF@25V
工作温度:-55℃~+175℃
