类型：P沟道MOSFET
漏源电压（Vdss）：60V
连续漏极电流（Id）：10A
导通电阻（RDS(on)）：160mΩ@10V，5A
耗散功率（Pd）：35W
栅极电荷量（Qg）：6.4nC@10V
输入电容（Ciss@Vds）：340pF@48V
反向传输电容（Crss）：20pF@48V
工作温度：-55℃~+175℃
类型：P沟道MOSFET
漏源电压（Vdss）：60V
连续漏极电流（Id）：10A
导通电阻（RDS(on)）：160mΩ@10V，5A
耗散功率（Pd）：35W
栅极电荷量（Qg）：6.4nC@10V
输入电容（Ciss@Vds）：340pF@48V
反向传输电容（Crss）：20pF@48V
工作温度：-55℃~+175℃
