类型：N沟道MOSFET
漏源电压（Vdss）：100V
连续漏极电压（Id）：70A
导通电阻（RDS(on)）：8mΩ@10V,8A
耗散功率（Pd）：100W
阈值电压（Vgs（th)）:4.5V
栅极电荷量（Qg）：60nC@50V
输入电容（Ciss@Vds）：4.03nF@50V
反向传输电容（Crss）：58pF@50V
工作温度：-55℃~+175℃
类型：N沟道MOSFET
漏源电压（Vdss）：100V
连续漏极电压（Id）：70A
导通电阻（RDS(on)）：8mΩ@10V,8A
耗散功率（Pd）：100W
阈值电压（Vgs（th)）:4.5V
栅极电荷量（Qg）：60nC@50V
输入电容（Ciss@Vds）：4.03nF@50V
反向传输电容（Crss）：58pF@50V
工作温度：-55℃~+175℃
