类型：N沟道MOSFET
漏源电压（Vdss）：60V
连续漏极电流（Id）：140A
导通电阻（RDS(on)）：2.8mΩ@10V，15A
耗散功率（Pd）：125W
阈值电压（Vgs（th)）：2V
输入电容（Ciss@Vds）：3.11nF@25V
反向传输电容（Crss）：193pF@25V
工作温度：-55℃~+175℃
类型：N沟道MOSFET
漏源电压（Vdss）：60V
连续漏极电流（Id）：140A
导通电阻（RDS(on)）：2.8mΩ@10V，15A
耗散功率（Pd）：125W
阈值电压（Vgs（th)）：2V
输入电容（Ciss@Vds）：3.11nF@25V
反向传输电容（Crss）：193pF@25V
工作温度：-55℃~+175℃
