类型：P沟道-场效应管（MOSFET）
漏源电压（Vdss）：30V
连续漏极电流（Id）：12A
导通电阻（RDS(on)）：14mΩ
耗散功率：2.5W
栅极电荷量（Qg）：30.7nc@10V
输入电容（Ciss@Vds）：1.802nf@15V
反向传输电容（Crss）：295pF@15V
工作温度：-55℃~+150℃
类型：P沟道-场效应管（MOSFET）
漏源电压（Vdss）：30V
连续漏极电流（Id）：12A
导通电阻（RDS(on)）：14mΩ
耗散功率：2.5W
栅极电荷量（Qg）：30.7nc@10V
输入电容（Ciss@Vds）：1.802nf@15V
反向传输电容（Crss）：295pF@15V
工作温度：-55℃~+150℃
