产品类型：场效应管（MOSFET）
类型：1个N沟道
漏源电压(Vdss)：30V
连续漏极电流(Id)：58A
功率(Pd):3.6W；31.2W
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：5.1mΩ@10A,10V
阈值电压(Vgs(th)@Id)：2.2V@250uA
栅极电荷(Qg@Vgs)：29nC@10V
输入电容(Ciss@Vds)：1.45nF@15V
工作温度：-55℃~+150℃
产品类型：场效应管（MOSFET）
类型：1个N沟道
漏源电压(Vdss)：30V
连续漏极电流(Id)：58A
功率(Pd):3.6W；31.2W
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：5.1mΩ@10A,10V
阈值电压(Vgs(th)@Id)：2.2V@250uA
栅极电荷(Qg@Vgs)：29nC@10V
输入电容(Ciss@Vds)：1.45nF@15V
工作温度：-55℃~+150℃
