产品类型：场效应管（MOSFET）
类型：2个N沟道
漏源电压(Vdss)：60V
连续漏极电流(Id)：5.3A
功率(Pd)：3.1W
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：72mΩ@4.5V,3.9A
阈值电压(Vgs(th)@Id):3V@250uA
栅极电荷(Qg@Vgs):20nC@10V
输入电容(Ciss@Vds):665pF@15V
工作温度:-55℃~+150℃
产品类型：场效应管（MOSFET）
类型：2个N沟道
漏源电压(Vdss)：60V
连续漏极电流(Id)：5.3A
功率(Pd)：3.1W
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：72mΩ@4.5V,3.9A
阈值电压(Vgs(th)@Id):3V@250uA
栅极电荷(Qg@Vgs):20nC@10V
输入电容(Ciss@Vds):665pF@15V
工作温度:-55℃~+150℃
