产品类型：场效应管（MOSFET）
类型：1个P沟道
漏源电压(Vdss)：60V
连续漏极电流(Id)：4.7A
功率(Pd)：2.4W；5W
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：120mΩ@10V,3.2A
阈值电压(Vgs(th)@Id)：3V@250uA
栅极电荷(Qg@Vgs)：22nC@10V
输入电容(Ciss@Vds)：600pF@30V
工作温度：-55℃~+150℃
产品类型：场效应管（MOSFET）
类型：1个P沟道
漏源电压(Vdss)：60V
连续漏极电流(Id)：4.7A
功率(Pd)：2.4W；5W
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：120mΩ@10V,3.2A
阈值电压(Vgs(th)@Id)：3V@250uA
栅极电荷(Qg@Vgs)：22nC@10V
输入电容(Ciss@Vds)：600pF@30V
工作温度：-55℃~+150℃
