产品类型：场效应管（MOSFET）
类型：1个P沟道
漏源电压(Vdss)：40V
连续漏极电流(Id)：11A
功率(Pd)：1.9W
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：9.2mΩ@18.6A,10V
阈值电压(Vgs(th)@Id)：3V@250uA
栅极电荷(Qg@Vgs)：140nC@10V
工作温度：-55℃~+150℃
产品类型：场效应管（MOSFET）
类型：1个P沟道
漏源电压(Vdss)：40V
连续漏极电流(Id)：11A
功率(Pd)：1.9W
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：9.2mΩ@18.6A,10V
阈值电压(Vgs(th)@Id)：3V@250uA
栅极电荷(Qg@Vgs)：140nC@10V
工作温度：-55℃~+150℃
