产品类型：场效应管（MOSFET）
类型：1个N沟道
漏源电压(Vdss)：100V
连续漏极电流(Id)：19.7A
功率(Pd)：3.5W；7.8W
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：10mΩ@15A,10V
阈值电压(Vgs(th)@Id)：3.3V@250uA
栅极电荷(Qg@Vgs)：69nC@10V
输入电容(Ciss@Vds)：2.41nF@50V
工作温度：-55℃~+150℃
产品类型：场效应管（MOSFET）
类型：1个N沟道
漏源电压(Vdss)：100V
连续漏极电流(Id)：19.7A
功率(Pd)：3.5W；7.8W
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：10mΩ@15A,10V
阈值电压(Vgs(th)@Id)：3.3V@250uA
栅极电荷(Qg@Vgs)：69nC@10V
输入电容(Ciss@Vds)：2.41nF@50V
工作温度：-55℃~+150℃
