产品类型：场效应管（MOSFET）
类型：1个P沟道
漏源电压(Vdss)：50V
连续漏极电流(Id)：180mA
功率(Pd)：310mW
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：10Ω@5V,100mA
阈值电压(Vgs(th)@Id)：2V@1mA
输入电容(Ciss@Vds)：24.6pF@25V
工作温度：-55℃~+150℃
产品类型：场效应管（MOSFET）
类型：1个P沟道
漏源电压(Vdss)：50V
连续漏极电流(Id)：180mA
功率(Pd)：310mW
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：10Ω@5V,100mA
阈值电压(Vgs(th)@Id)：2V@1mA
输入电容(Ciss@Vds)：24.6pF@25V
工作温度：-55℃~+150℃
