产品类型：场效应管（MOSFET）
类型：1个P沟道
漏源电压(Vdss)：30V
连续漏极电流(Id)：530mA
功率(Pd)：450mW
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：1Ω@400mA,4.5V
阈值电压(Vgs(th)@Id)：1.1V@250uA
栅极电荷(Qg@Vgs)：900pC@4.5V
输入电容(Ciss@Vds)：76pF@15V
工作温度：-55℃~+150℃
产品类型：场效应管（MOSFET）
类型：1个P沟道
漏源电压(Vdss)：30V
连续漏极电流(Id)：530mA
功率(Pd)：450mW
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：1Ω@400mA,4.5V
阈值电压(Vgs(th)@Id)：1.1V@250uA
栅极电荷(Qg@Vgs)：900pC@4.5V
输入电容(Ciss@Vds)：76pF@15V
工作温度：-55℃~+150℃
