产品类型：场效应管（MOSFET）
类型：1个N沟道
漏源电压(Vdss)：100V
连续漏极电流(Id)：42A
功率(Pd)：140W
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：14mΩ@10V,38A
阈值电压(Vgs(th)@Id)：2.5V@100uA
栅极电荷(Qg@Vgs)：48nC@4.5V
输入电容(Ciss@Vds)：3.98nF@25V
工作温度：-55℃~+175℃
产品类型：场效应管（MOSFET）
类型：1个N沟道
漏源电压(Vdss)：100V
连续漏极电流(Id)：42A
功率(Pd)：140W
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：14mΩ@10V,38A
阈值电压(Vgs(th)@Id)：2.5V@100uA
栅极电荷(Qg@Vgs)：48nC@4.5V
输入电容(Ciss@Vds)：3.98nF@25V
工作温度：-55℃~+175℃
