产品类型：场效应管（MOSFET）
类型：1个N沟道
漏源电压（Vdss）：40V
连续漏极电流（Id）：56A
功率（Pd）：98W
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：3.9mΩ@10V,56A
阈值电压(Vgs(th)@Id)：3.9V@100uA
栅极电荷(Qg@Vgs)：130nC@10V
输入电容(Ciss@Vds)：3.15nF@25V
工作温度：-55℃~+175℃
产品类型：场效应管（MOSFET）
类型：1个N沟道
漏源电压（Vdss）：40V
连续漏极电流（Id）：56A
功率（Pd）：98W
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：3.9mΩ@10V,56A
阈值电压(Vgs(th)@Id)：3.9V@100uA
栅极电荷(Qg@Vgs)：130nC@10V
输入电容(Ciss@Vds)：3.15nF@25V
工作温度：-55℃~+175℃
