产品类型：场效应管（MOSFET）
类型：1个N沟道
漏源电压（Vdss）：150V
连续漏极电流(Id)：33A
功率(Pd)：144W
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：42mΩ@10V,21A
阈值电压(Vgs(th)@Id)：5V@100uA
栅极电荷(Qg@Vgs)：26nC@10V
输入电容(Ciss@Vds)：1.75nF@50V
工作温度：-55℃~+175℃
产品类型：场效应管（MOSFET）
类型：1个N沟道
漏源电压（Vdss）：150V
连续漏极电流(Id)：33A
功率(Pd)：144W
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：42mΩ@10V,21A
阈值电压(Vgs(th)@Id)：5V@100uA
栅极电荷(Qg@Vgs)：26nC@10V
输入电容(Ciss@Vds)：1.75nF@50V
工作温度：-55℃~+175℃
