产品类型：场效应管（MOSFET）
类型：1个N沟道
漏源电压(Vdss)：55V
连续漏极电流(Id)：30A
功率(Pd)：48W
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：24.5mΩ@18A,10V
阈值电压(Vgs(th)@Id)：4V@250uA
栅极电荷(Qg@Vgs)：27nC@10V
输入电容(Ciss@Vds)：740pF@25V
工作温度：-55℃~+175℃
产品类型：场效应管（MOSFET）
类型：1个N沟道
漏源电压(Vdss)：55V
连续漏极电流(Id)：30A
功率(Pd)：48W
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：24.5mΩ@18A,10V
阈值电压(Vgs(th)@Id)：4V@250uA
栅极电荷(Qg@Vgs)：27nC@10V
输入电容(Ciss@Vds)：740pF@25V
工作温度：-55℃~+175℃
