产品类型：场效应管（MOSFET）
类型：2个N沟道
漏源电压(Vdss)：50V
连续漏极电流(Id)：3A
功率(Pd):2W
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：130mΩ@10V,3A
阈值电压(Vgs(th)@Id)：3V@250uA
栅极电荷(Qg@Vgs)：30nC@10V
输入电容(Ciss@Vds)：290pF@25V
工作温度：-55℃~+150℃
产品类型：场效应管（MOSFET）
类型：2个N沟道
漏源电压(Vdss)：50V
连续漏极电流(Id)：3A
功率(Pd):2W
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：130mΩ@10V,3A
阈值电压(Vgs(th)@Id)：3V@250uA
栅极电荷(Qg@Vgs)：30nC@10V
输入电容(Ciss@Vds)：290pF@25V
工作温度：-55℃~+150℃
