产品类型：场效应管（MOSFET）
类型：1个N沟道+1个P沟道
漏源电压(Vdss)：25V
连续漏极电流(Id)：3.5A;2.3A
功率(Pd)：2W
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):100mΩ@1A,10V
阈值电压(Vgs(th)@Id):3V@250uA
栅极电荷(Qg@Vgs):27nC@10V
输入电容(Ciss@Vds):330pF@15V
工作温度:-55℃~+150℃
产品类型：场效应管（MOSFET）
类型：1个N沟道+1个P沟道
漏源电压(Vdss)：25V
连续漏极电流(Id)：3.5A;2.3A
功率(Pd)：2W
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):100mΩ@1A,10V
阈值电压(Vgs(th)@Id):3V@250uA
栅极电荷(Qg@Vgs):27nC@10V
输入电容(Ciss@Vds):330pF@15V
工作温度:-55℃~+150℃
