产品类型：场效应管（MOSFET）
类型：1个P沟道
漏源电压(Vdss)：30V
连续漏极电流(Id)：4.6A
功率(Pd)：2.5W
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：70mΩ@10V,4.6A
阈值电压(Vgs(th)@Id)：3V@250uA
栅极电荷(Qg@Vgs)：40nC@10V
输入电容(Ciss@Vds)：870pF@10V
工作温度：-55℃~+150℃
产品类型：场效应管（MOSFET）
类型：1个P沟道
漏源电压(Vdss)：30V
连续漏极电流(Id)：4.6A
功率(Pd)：2.5W
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：70mΩ@10V,4.6A
阈值电压(Vgs(th)@Id)：3V@250uA
栅极电荷(Qg@Vgs)：40nC@10V
输入电容(Ciss@Vds)：870pF@10V
工作温度：-55℃~+150℃
