产品类型：场效应管（MOSFET）
类型：2个N沟道
漏源电压(Vdss)：30V
连续漏极电流(Id)：6.5A
功率(Pd)：2W
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):29mΩ@10V,5.8A
阈值电压(Vgs(th)@Id)：1V@250uA
栅极电荷(Qg@Vgs)：33nC@10V
输入电容(Ciss@Vds)：650pF@25V
工作温度：-55℃~+150℃
产品类型：场效应管（MOSFET）
类型：2个N沟道
漏源电压(Vdss)：30V
连续漏极电流(Id)：6.5A
功率(Pd)：2W
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):29mΩ@10V,5.8A
阈值电压(Vgs(th)@Id)：1V@250uA
栅极电荷(Qg@Vgs)：33nC@10V
输入电容(Ciss@Vds)：650pF@25V
工作温度：-55℃~+150℃
