产品类型：场效应管(MOSFET)
类型：2个N沟道
漏源电压(Vdss)：80V
连续漏极电流(Id)：3.6A
功率(Pd)：2W
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：73mΩ@10V,2.2A
阈值电压(Vgs(th)@Id)：4V@250uA
栅极电荷(Qg@Vgs)：23nC@10V
输入电容(Ciss@Vds)：660pF@25V
工作温度：-55℃~+150℃
产品类型：场效应管(MOSFET)
类型：2个N沟道
漏源电压(Vdss)：80V
连续漏极电流(Id)：3.6A
功率(Pd)：2W
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：73mΩ@10V,2.2A
阈值电压(Vgs(th)@Id)：4V@250uA
栅极电荷(Qg@Vgs)：23nC@10V
输入电容(Ciss@Vds)：660pF@25V
工作温度：-55℃~+150℃
