产品类型：场效应管（MOSFET）
类型：2个P沟道
漏源电压(Vdss)：30V
连续漏极电流(Id)：4.9A
连续漏极电流(Id)：2W
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：58mΩ@10V,4.9A
阈值电压(Vgs(th)@Id):1V@250uA
栅极电荷(Qg@Vgs)：34nC@10V
输入电容(Ciss@Vds)：710pF@25V
工作温度：-55℃~+150℃@(Tj)
产品类型：场效应管（MOSFET）
类型：2个P沟道
漏源电压(Vdss)：30V
连续漏极电流(Id)：4.9A
连续漏极电流(Id)：2W
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：58mΩ@10V,4.9A
阈值电压(Vgs(th)@Id):1V@250uA
栅极电荷(Qg@Vgs)：34nC@10V
输入电容(Ciss@Vds)：710pF@25V
工作温度：-55℃~+150℃@(Tj)
