产品类型：场效应管（MOSFET）
类型：1个N沟道+1个P沟道
漏源电压(Vdss)：20V
连续漏极电流(Id):6.6A；5.3A
功率(Pd)：2W
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：29mΩ@6A,4.5V
阈值电压(Vgs(th)@Id)：700mV@250uA
栅极电荷(Qg@Vgs)：27nC@4.5V
工作温度：-55℃~+150℃
产品类型：场效应管（MOSFET）
类型：1个N沟道+1个P沟道
漏源电压(Vdss)：20V
连续漏极电流(Id):6.6A；5.3A
功率(Pd)：2W
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：29mΩ@6A,4.5V
阈值电压(Vgs(th)@Id)：700mV@250uA
栅极电荷(Qg@Vgs)：27nC@4.5V
工作温度：-55℃~+150℃
