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类型：结型场效应管（JFET）
FET类型：P沟道
栅源截止电压(VGS(off)@ID)：3V@10nA
栅源击穿电压(V(BR)GSS)：30V
功率(Pd)：225mW
漏源导通电阻(RDS(on))：125Ω
饱和漏源电流(Idss@Vds,Vgs=0)：7mA@15V
输入电容(Ciss@Vds)：11pF@10V
工作温度：-55℃~+150℃@(Tj)
